论文部分内容阅读
本文采用脉冲激光沉积法在(0001)取向的蓝宝石基片上生长了TiN导电薄膜，研究了沉积温度、激光能量对其微结构、表面形貌和电学性能的影响规律。X-射线衍射和原子力显微镜分析的结果表明，沉积温度在300～700℃，激光能量在160～220 mJ的范围内均能得到(111)单一面外取向的TiN薄膜。然而.不同激光能量使TiN薄膜表面形貌具有轻微的差异，同时对其电学特性产生不同的影响。四探针电阻测试结果显示，随着沉积温度的增加和激光能量的增大，TiN薄膜的电阻率显著减小。本研究所制备的TiN薄膜最小的电阻率约为500 μΩ·cm，方阻接近60 Ω/□，可用作BaTiO3等铁电薄膜的底电极材料。