【摘 要】
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本文搭建了磁延迟伪火花开关自击穿特性研究实验平台，研究了在自击穿工作模式下，伪火花开关的重频工作特性，磁延迟伪火花开关的放电特性及损耗特征。实验结果表明，充电电容重
【机 构】
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西安交通大学电力设备与绝缘国家重点实验室,西安,710049
【出 处】
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中国电机工程学会高电压专业委员会2015年学术年会
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本文搭建了磁延迟伪火花开关自击穿特性研究实验平台，研究了在自击穿工作模式下，伪火花开关的重频工作特性，磁延迟伪火花开关的放电特性及损耗特征。实验结果表明，充电电容重复充放电频率为50Hz 时，在电压脉冲作用下，静态击穿电压为10kV 的无触发伪火花开关首次放电时延在数百微秒量级，其后各次放电时延1μs 左右。对磁延迟伪火花开关的放电特性进行研究发现，伏秒积合适的磁开关有良好的“磁延迟”效果，使得流经伪火花开关的电流迅速上升前，伪火花开关两端电压已经下降到较低值，大大降低伪火花开关的导通损耗。同时，磁延迟效果随着伏秒积的增大而增强。磁延迟伪火花开关显示出良好的重频工作性能。
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