【摘 要】
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本文结合拉曼光谱(Ram an)、高能反射式电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜(HRTEM)研究了退火对于离子注入硅的微观结构的影响.拉曼光谱显示,离子注入后的硅其TO主峰在460cm-1
【机 构】
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浙江大学物理系和硅材料国家重点实验室,杭州310027
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本文结合拉曼光谱(Ram an)、高能反射式电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜(HRTEM)研究了退火对于离子注入硅的微观结构的影响.拉曼光谱显示,离子注入后的硅其TO主峰在460cm-1的位置,与普遍认为的非晶硅的位于480cm-1的TO峰略有差异1,这种差异可能来源于离子注入引入的大量空位和间隙等缺陷引起的应力,如图2(e1)&(e2)的HRTEM所示,经过离子注入的样品已经观察不到晶格像,而且,SiOX/Si界面也变的模糊不清,同时RHEED衍射观察不到任何衍射条纹,说明as-implanted样品的原子散乱无序.
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