【摘 要】
：
The green light emitting diode (LED) with an insertion layer between the multiple quantum wells and n-GaN layer was grown on c-plane sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition.We in
【机 构】
：
School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024
【出 处】
：
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
The green light emitting diode (LED) with an insertion layer between the multiple quantum wells and n-GaN layer was grown on c-plane sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition.We investigated the structural and optical properties of the LEDs with and without insertion layer.It was found the insertion layer could promote the combination of In concentration,and induced an overall red-shift of wavelength.We speculate that the In phase separation and piezoelectric field would be responsible for the wavelength red-shift,the performance of LED deteriorated either.
其他文献
本文测试了SiC衬底,0.2μm栅长的AlN/GaN HEMT器件的小信号S参数。对比不同栅宽器件的频率特性,发现fmax随器件栅宽的增加而下降,且下降趋势与栅宽的-0.5次幂相关。提取不同栅宽器件的本征参数,发现栅宽增加,本征电容上升,输出电阻Rds下降,这两个因素导致了器件的fmax下降。分析了fmax随栅宽变化的规律,为今后毫米波GaN MMIC中GaN HEMT器件的栅宽设计提供了实验数据
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效地消除了传统AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道结构中的第二导电沟道，同时又保持了主沟道中2DEG良好的限制能力。研究了该结构的能带和电子限制特性，并从极化角度阐明其物理机制是由于GaN/AlN/AlGaN异质界面附近净的负极化电荷
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征。研究表明,随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减小,垒／阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减小；增加高度至一定值后,量子阱厚度及I
本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓度和迁移率都明显降低。低温GaN插入层能够有效缓解InAlN在高温下的结构质量退化,从而能够提高2DEG浓度和迁移率。霍尔测试表明,AIGaN/lnAlN/AlN/GaN结构在855℃比较稳定。但是,当温
笔者研究了不同极性的n型InN薄膜的输运性质。经常在N极性InN薄膜中出现的晶界(GB)被证实会增强载流子的散射,进而削弱电子的迁移率。在晶界两侧会形成势垒,阻挡部分载流子的漂移运动,导致在GB两侧有较多的电子积累。但是,In极性薄膜表面总是可以看到单层原子的台阶状分布,相对于N极性样品,表面更加光滑平整,并不会出现晶粒状表面,所以也就没有必要考虑GB对散射的影响。对于两种极性样品载流子浓度和迁移
利用垂直梯度凝固生长技术(VGF)制备了半绝缘砷化镓晶锭,经线锯切割后对晶片进行长时间的高温退火。在退火工艺前对晶片进行不同方法的预处理,利用辉光放电技术(Glow Discharge Mass Spectrometry,GDMS)、霍尔测试(Hall),傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform Infrared Absorption Spectroscopy,FTIR)、光致发光
利用拉曼散射的方法研究了AlN晶针在不同直径(9.5tm≤d≤45.9μm)处光学声子E21、A1(TO)、E22、E1(TO)和E1(LO)的振动行为。因为拉曼信号的散射截面会随着AIN晶针直径的增加而增加，使得拉曼探测信号的强度会随着AIN晶针直径的增加而增强。研究发现随着AlN晶针直径的增加A1(TO)模式的振动频率有明显的增加，而E21、A1(TO)、E22、E1(TD)和E1(LO)模式
本工作是采用光感生电流瞬态谱技术,对半绝缘砷化镓衬底上分子束外延生长的高阻碲化镉薄膜中的深能级进行了测量与分析。发现至少有5个能级,能级位置分别为0.14,0.22,0.31,0.36和0.54ev。它们可能与残余杂质,Cd空位,Cd间隙及其它结构缺陷有关。
氮化物和氧化物半导体材料及相关器件是目前国际上化合物半导体领域最活跃的研究方向。近期氮化物半导体材料的一个热点研究方向就是高In组份的GaInN材料和相关器件研究；用MBE方法生长了InN纳米材料和薄膜材料，并制备了电致发光器件，器件电致发光峰值在1.57微米左右，进一步证实了InN材料是一个窄带隙材料。近期氧化物半导体材料的一个热点和难点研究方向就是ZnO材料的p型掺杂和其紫外激光器件研究；用M