【摘 要】
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采用I-V法研究了AlGaN/GaN HEMT在300 K～475K温度范围内，Ni/Au栅极肖特基接触的正向电流输运特性及失效机理。基于对热电子发射、产生复合、电子遂穿以及表面漏电现象四种
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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采用I-V法研究了AlGaN/GaN HEMT在300 K～475K温度范围内，Ni/Au栅极肖特基接触的正向电流输运特性及失效机理。基于对热电子发射、产生复合、电子遂穿以及表面漏电现象四种电流输运机制的分析，利用分离电流分量法，确定这四种电流分量在肖特基栅正向电流中各自所占的比例。研究发现，遂穿电流在栅肖特基接触正向电流中起主导作用，同时基于遂穿位错模型，提取到器件位错密度为1.88×107cm-2.高密度位错会导致肖特基势垒高度减小、泄漏电流增大，引起器件失效。
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