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紫外发光二极管的成功被认为是未来使半导体照明完全取代日光灯照明的重要保证，而氧化锌作为有希望在第三代半导体中脱颖而出的重要半导体光电材料，除了拥有与氮化镓相近的晶格结构和禁带宽度，还有许多独特的优势。
基于Be辅助氮掺杂p型ZnO的紫外发光器件
【摘 要】
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紫外发光二极管的成功被认为是未来使半导体照明完全取代日光灯照明的重要保证，而氧化锌作为有希望在第三代半导体中脱颖而出的重要半导体光电材料，除了拥有与氮化镓相近的晶格结构和禁带宽度，还有许多独特的优势。
【机 构】
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中山大学,广东省,广州市,510275
【出 处】
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第十四届全国发光学学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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