【摘 要】
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介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京 210016
【出 处】
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2010年全国半导体器件技术研讨会
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介绍了为避免湿法挖槽侧蚀时GaAs表面被沾污、损伤、氧化而导致的表面缺陷,采用干法挖槽达到无侧蚀的挖槽工艺,从而实现了肖特基接触能稳定可靠地进行沟道控制,消除了两侧表面缺陷因热电子效应对沟道的影响。该工艺采用ICP刻蚀挖槽,确定了低损伤与各向异性刻蚀的最佳条件。采用该工艺制作的GaAs HFET功率管,4个27mm管芯合成的内匹配功率管在5.6 GHz条件下输出功率为53 W、功率增益11 dB、功率附加效率大于47％。
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