【摘 要】
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随着石墨烯的发现,在石墨烯上构建独特的平面四配位碳结构受到许多研究者的关注1,2.同时由于六角形氮化硼结构与石墨烯互补的电子结构性质3,让我们有理由相信在六角形氮
【机 构】
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中科院福建物质结构研究所,福州市鼓楼区杨桥西路155号
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随着石墨烯的发现,在石墨烯上构建独特的平面四配位碳结构受到许多研究者的关注1,2.同时由于六角形氮化硼结构与石墨烯互补的电子结构性质3,让我们有理由相信在六角形氮化硼与石墨烯的杂化结构的基础上构建平面四配位的碳结构,会产生让人感兴趣的新的电子结构特性.我们利用密度泛函理论研究了以铍和硼修饰的平面四配位碳结构为边缘的硼氮碳纳米带.我们发现以硼修饰的平面四配位碳结构为边缘的硼氮碳纳米带具有比同尺度硼氮碳纳米带更宽的能隙,接近半导体材料的能隙宽度,而以铍修饰的平面四配位碳结构为边缘的硼氮碳纳米带又表现出比同尺度硼氮碳纳米带更窄的能隙宽度,接近半金属材料的能隙宽度,同时我们还发现通过调节六角形氮化硼纳米带的掺杂尺度能够进一步调控此类型纳米带的能隙,相信我们的工作能够为研究能隙可调的多功能石墨烯相关材料提供启发.
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