EF3(E=I,At,and Element117)的旋耦合效应和电子相关能效应

来源 :中国化学会第28届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aszxc1986
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  本文采用耦合簇 (CC) 方法和密度泛函方法 (DFT) 对 EF3 (E=I,At,and Element 117) 的结构做了分析,并讨论了旋耦合效应和电子相关能效应对该体系的结构以及频率的影响。对 IF3 和 AtF3 而言,C2v 结构是稳定构型,而对 (117)F3而言,D3h 结构则是唯一稳定的构型,不存在C2v 结构。本文所有的计算表明 D3h结构是 IF3 的二阶鞍点,而只有在不含旋耦合的 HF 计算中,D3h 结构是 AtF3 的二阶鞍点,其他情况下D3h 结构是稳定的。
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