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本文概述了高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构特性,研究了HEMT器件2DEG沟道退化的相关机理,主要包括界面态密度和离子扩散两个方面,阐述了器件性能退化与这两种机理的关系,为HEMT器件可靠性的进一步研究做了铺垫.
HEMT器件2DEG沟道退化相关机理研究
【摘 要】
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本文概述了高电子迁移率晶体管(HEMT)的结构特性,研究了HEMT器件2DEG沟道退化的相关机理,主要包括界面态密度和离子扩散两个方面,阐述了器件性能退化与这两种机理的关系,为HE
【机 构】
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电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室
【出 处】
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中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会
【发表日期】
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2006年期
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