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制备了含有Mg元素的Ba0.65-xSr0.35MgxTiO3陶瓷圆片试样,对试样进行了介电性能研究,结果表明:掺杂Mg的Ba0.65-xSr0.35MgxTiO3陶瓷试样与未掺杂Mg的Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷试样相比,相对介电常数减小,介电损耗降低。介电温谱显示,随着Mg掺杂量的增加居里峰表现出微弱的展宽效应,且居里温度向低温方向移动。对Mg掺杂量为1.0mol%的体系进行了掺杂Sb2O3研究,介电性能测试表明:掺杂Sb2O3的Ba0.64Sr0.35Mg0.01TiO3体系的居里峰增大,居里温度向低温方向移动,室温介电损耗很大。