【摘 要】
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采用熔铝无压漫渗新工艺,研制出高导熟(热导率高迭252W/(m·K))、低膨胀(热膨胀系数7.8×10-6/K)的多功能铝基(SiCp/Al)复合材料.在该材料制备过程中,实现了微米级的SiC颗粒、超高导热(1500W/(m·K))金刚石膜片与铝合金基体的高质量的原位同步复合。这种在半导体芯片安装位置精确地预置的尺寸不大的超高导热金刚石膜片的方式,可以较低的成本投入大大提高铝基复合材料封装元件的热
【机 构】
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北京航空材料研究院 先进复合材料国防科技重点实验室,北京 100095 中国电子科技集团公司第五十
【出 处】
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2009全国功能材料科技与产业高层论坛
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采用熔铝无压漫渗新工艺,研制出高导熟(热导率高迭252W/(m·K))、低膨胀(热膨胀系数7.8×10-6/K)的多功能铝基(SiCp/Al)复合材料.在该材料制备过程中,实现了微米级的SiC颗粒、超高导热(1500W/(m·K))金刚石膜片与铝合金基体的高质量的原位同步复合。这种在半导体芯片安装位置精确地预置的尺寸不大的超高导热金刚石膜片的方式,可以较低的成本投入大大提高铝基复合材料封装元件的热耗散能力,并省去了金刚石膜片的表面金属化处理及钎焊工序,避免了焊接缺陷、降低了界面热阻,提高了封接的可靠性。
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研究了稀土Ho2O3。掺杂ZnO∶CaO陶瓷(简称ZCAO)的烧结及介电性能。探索了ZnO∶CaO陶瓷的烧结工艺,讨论了Ho2O3。掺杂量对ZnO∶CaO陶瓷的致密度、收缩系数、介电常数、介电损耗的影响。结果表明,稀土Ho2O3的掺杂可以提高ZnO∶CaO陶瓷的致密度和介电常数。在相同烧结工艺下,随着Ho2O3含量的增加,ZnO∶CaO陶瓷的介电常数先增大后减小,致密度增大。烧结温度的升高和保温时
以FeCl3在尿素溶液中的水解产物FeO(OH)和Ba2+的碳酸盐沉淀BaCO3为反应前驱体,在800℃下煅烧得到了具有六角片状形貌的BaFe12O19粉末。给出了该方法制备BaFe12O19的实验条件,采用羞示扫描量热计(DSC)对煅烧过程进行了分析;用X射线粉末衍射仪(XRD)研究了不同温度下煅烧所得产品的物相;用扫描电镜(SEM)对产品的形貌进行了表征,采用高强脉冲磁强计测定了样品的磁性能;
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研究了压制成型、去应力退火和绝缘包覆对Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉芯磁性能影响。研究结果表明,增加成型压力可以提高磁粉芯的密度、磁导率和品质因数,降低矫顽力和损耗,但是过高的压力会使磁粉芯的磁导率和品质因数降低。磁粉芯压制后的退火处理是保证较高磁性能的基础,升高退火温度能够提高磁导率和品质因数,降低磁滞损耗,过高的退火温度会使非晶粉末发生晶化,降低了磁性能。增加绝缘剂添加
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采用磁控溅射方法制备了上钉扎CrPt/FePt和下钉扎FePt/CrPt双层膜(Ta作为缓冲层和保护层),样品在真空度优于5×10-4Pa的真空炉里进行350℃,5h的退火,退火时沿样品的易轴方向加约63.68kA/m的静磁场。实验发现,退火后CrPt/FePt体系的钉扎场比FePt/CrPt体系的钉扎场大。从织构和晶粒尺寸两方面对其中的原因进行了分析。结果表明,CrPt/FePt体系具有较弱的择
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