【摘 要】
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本文使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置，以H_2-CH_4为气源，就高功率条件下CH_4浓度对金刚石膜的生长速率和品质的影响规律进行了研究，并在此基础上进行了大面积光学级金刚石膜的沉积。利用扫描电镜、激光拉曼谱仪、傅立叶红外光谱仪对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质、红外透过率等进行了表征。实验结果表明，使用自行设计建造的椭球谐振腔式MPCVD装置在高功率条件下通过提高CH_4浓度会使
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院,北京 100083
【出 处】
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第三届红外成像系统仿真测试与评价技术研讨会
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本文使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置，以H_2-CH_4为气源，就高功率条件下CH_4浓度对金刚石膜的生长速率和品质的影响规律进行了研究，并在此基础上进行了大面积光学级金刚石膜的沉积。利用扫描电镜、激光拉曼谱仪、傅立叶红外光谱仪对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质、红外透过率等进行了表征。实验结果表明，使用自行设计建造的椭球谐振腔式MPCVD装置在高功率条件下通过提高CH_4浓度会使金刚石膜的生长速率增加，但当CH_4浓度达到一定比例后，金刚石膜的生长速率将不再继续提高。CH_4浓度在0.5％～2％时制备的金刚石膜品质较高；自行设计建造的椭球谐振腔式MPCVD装置能够满足在较高功率下光学级金刚石膜的快速沉积要求。
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