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通过求解薛定谔方程，得到5nm AlN/2．6nm GaN/1 nm AlN/2．6nm GaN/5nm AlN耦合双量子阱的电子子带能级和本征能级对应的本征波函数。发现由于极化效应的存在，使得耦合双量子阱中简并子带能级发生约0．3eV的分裂，本征波函数在两个量子阱中非对称分布，子带跃迁波长范围约为1～20gm。并指出可以通过改变量子阱的宽度或者用AlGaN取代AlN来做势垒，来调整极化场的大小，进而调节能级分裂的程度，这对于获得三能级和四能级系统，进而对多色红外探测器件的研制有重要的指导意义。