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该文研究了Al、Gan、In、P/GaAs异质结双极型晶体管（HBT）器件从室温到673K的输出特性，发现器件的直流电流增益从室温到623K下降不到l0，并且有很好的线性。在673K时，器件发生失效。通过对失效器件的E-B结和B-C结的二极管特性及对基区欧姆电极的二次离子质谱的分析，表明器件的失效原因是由于基极金属穿透基区使B-C结短路造成。