论文部分内容阅读
高纯度超细氮化硅粉中氧测定的研究
【机 构】
:
北京有色金属研究总院
【出 处】
:
全国第二届有色金属气体分析报告会
【发表日期】
:
1986年期
其他文献
SIN-Sic材料具有强工大、导热率高、导电率小、抗氧化及冰晶石侵蚀能力强等优点。近年来随着炼铝技术的提高,作为传统侧墙材料的碳砖及墨化碳砖已不能满足炼铝技术的要求。越
在环-块磨损试验机上,对蒸馏水润滑的Si〈,3〉N〈,4〉-灰铸铁配副做磨损试验。磨程为2km左右后,摩擦系数只有0.02-0.03,而试样几乎不再发生磨损。在Si〈,3〉N〈,4〉试样的磨面上发现主要由凝胶态无定形SiO〈,2〉组
研制成功成套大型薄壁复杂氮化硅结合碳化硅陶瓷构件,并在1700℃高温燃气环境刊行应用考核。选择低成本的反应烧氮化硅结合碳化硅为基础,以提高构年抗热震寿命为核心,以获得高性
该文分析了硅表面形成的氮化硅层在GaN外延生长中的作用,XPS分析表面衬底在900℃氮气氛中氮化10分钟后,表面覆盖着一层氮化硅,RHEED表明这层氮化硅为非晶态,外延生长后的XRD的测
该文首先研究了SiN陶瓷材料与SUS304不锈钢摩擦性能,发现水基润滑剂具有较好的润滑效果,主要原因是摩擦化学反应层的存在使摩擦系数降低。在此研究基础上,首次将氮化硅陶瓷用作
利用透射电镜分析了采用LPCVD法生长的SiN〈,X〉膜的微观结构与薄膜应力之间的关系,首次报导了利用LPCVD方法生长的SiN〈,X〉膜中存在着微观的取向结构,并通过SiN〈,X〉的背腐蚀结果确定该结构与SiN〈,X〉膜的