【摘 要】
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氮化镓(GaN)及其相关的化合物半导体材料在光电子器件以及高频高功率器件领域已经取得了成功的应用，这得益于氮化镓优良的材料性能，例如：高禁，带宽度、高电子饱和速率和高击穿电压等。近年来，有关氮化镓机械性能以及压电、压阻等特性的研究揭开了其在MEMS传感器领域的应用前景。氮化镓突出的热稳定性及化学稳定性弥补了硅基传感器工作温度低、化学稳定性差的缺点，特别适合制造用于航天、航空、军事、勘探等领域需要在
【机 构】
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北京大学微电子研究院微米／纳米加工技术国家级重点实验室，北京，100871 香港科技大学电子及计算
【出 处】
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中国微米纳米技术学会第十一届学术年会
论文部分内容阅读
氮化镓(GaN)及其相关的化合物半导体材料在光电子器件以及高频高功率器件领域已经取得了成功的应用，这得益于氮化镓优良的材料性能，例如：高禁，带宽度、高电子饱和速率和高击穿电压等。近年来，有关氮化镓机械性能以及压电、压阻等特性的研究揭开了其在MEMS传感器领域的应用前景。氮化镓突出的热稳定性及化学稳定性弥补了硅基传感器工作温度低、化学稳定性差的缺点，特别适合制造用于航天、航空、军事、勘探等领域需要在特殊恶劣环境下工作的传感系统。另外，基于AIGaN/GaN的高电子迁移率晶体管(H=EMT)对于应变、温度、表面离子状况等环境参数的高度敏感性，使基于HEMT的传感器和处理电路的单片集成成为可行的解决方案，并使最终实现单片集成的高灵敏度传感器与高频高功率处理电路及无线发射系统成为可能。本文提出了一种兼容体硅工艺的单掩膜版硅上氮化锡镓的MEMS微结构加工工艺，采用干法刻蚀和释放技术实现硅上氮化镓的复杂悬浮结构。
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