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采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱.利用大光腔结构制作出高功率、宽光谱、低发散角850nm短波长超辐射发光二极管,在120mA时器件半峰宽可达26nm,室温下连续输出功率达到6mW.与单模保偏光纤耦合输出功率达到1.0mW.
短波长宽光谱超辐射发光二极管
【摘 要】
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采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱.利用大光腔结构制作出高功率、宽光谱、低发散角850nm短波长超辐射发光二极管,在120mA时器件半峰宽可达26nm,室温下连续输出功率达到6mW.与单模保偏光纤耦合输出功率达到1.0mW.
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
【出 处】
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第十七届全国激光学术会议
【发表日期】
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2005年4期
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