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不同厚度的AlN插入层对AlxGa1-xN外延层中位错和应力的影响
不同厚度的AlN插入层对AlxGa1-xN外延层中位错和应力的影响
来源 :2012年全国电子显微学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yoyo88420
【摘 要】
:
本文首先利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在GaN/sapphire模板上生长具有不同厚度低温AlN插入层的AlxGa1-xN外延层。然后采用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)
【作 者】
:
尚林
鲁麟
许并社
【机 构】
:
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;新材料工程技术研究中心,山西太原030024
【出 处】
:
2012年全国电子显微学学术会议
【发表日期】
:
2012年9期
【关键词】
:
化合物半导体
外延生长
结构表征
显微镜技术
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本文首先利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在GaN/sapphire模板上生长具有不同厚度低温AlN插入层的AlxGa1-xN外延层。然后采用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)对其表面形貌和微结构进行了研究。
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