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以辛基酚聚氧乙烯(10)醚(op-10)为有机添加剂，采用阴极电沉积法，制备了高质量的ZnO薄膜。样品经超声处理后，用X射线衍射和光致发光光谱研究了ZnO薄膜的结构、应力状态和发光性能的变化。结果表明：超声处理后样品的结晶性能变差，晶格内部的张应力变为压应力，395nm处的激子峰和580nm处的黄光峰强度比减小，同时发光谱中又出现了428nm的蓝光峰。分析认为580nm的黄光发射是由VOZni复合缺陷与价带顶的跃迁引起的，而428nm的蓝光发射则是由Zni与价带顶之间的跃迁引起。