【摘 要】
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使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京市,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微裂纹密度也越低.得到的GaN外延层(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半高宽为13.0弧分,原子力显微镜(AFM)5μm×5μm扫描的均方根粗糙度为2.002 nm。
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