Highly thermally stable transparent conducting Ga doped ZnO thin film by metal organic chemical vapo

来源 :第五届届全国氧化锌学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a381697182
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Solution processed high performance InGaZnO thin film transistor (TFT) has been investigated.In this work, we emphasize on low temperature (about 250 ℃) and solution based fabrication route, which sho
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薄膜晶体管(TFT)是现今主流平板显示(包括AML,CD和AMOLED)不可或缺的驱动器件。目前显示器件中使用的主要是非晶硅(α-Si)TFT,但α-Si-TFT迁移率低(<1 cm2/Vs),无法满足大尺寸显示器发展要求,同时也是发展高清显示的最大技术瓶颈。以InGaZnO为代表的非晶氧化物半导体(AOS)由于具有较大的迁移率(>10 cm2/Vs),易于大面积均匀制备,并且与需要低温工艺的透明
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