【摘 要】
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利用对氧缺陷的TiO2-B材料进行密度泛函理论的计算,阐述了氧空穴对于TiO2-B材料的电化学性质的影响。计算研究主要聚焦于缺陷材料的锂离子迁移和电子导电性等基本问题。计算
【机 构】
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太原理工大学化学化工学院;南开大学化学系先进能源材料教育部重点实验室;中国科学院煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室;
【基金项目】
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supported by the State Key Program of Natural Science Foundation of Tianjin,China(13JCZDJC26800);Foundation of State Key Laboratory of Coal Conversion,China(J15-16-908);Natural Science Foundation of
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利用对氧缺陷的TiO2-B材料进行密度泛函理论的计算,阐述了氧空穴对于TiO2-B材料的电化学性质的影响。计算研究主要聚焦于缺陷材料的锂离子迁移和电子导电性等基本问题。计算结果表明在低锂离子浓度下（x（Li/Ti）≤0.25）,相比于无缺陷的TiO2-B,氧缺陷TiO2-B有着更高的插入电压和更低的b轴方向迁移活化能,意味着锂离子的嵌入也更容易,这对于可充电电池的充电过程是有利的。而在高浓度下（x（Li/Ti）=1）,锂饱和的氧缺陷TiO2-B相较于无缺陷的TiO2-B有着较低的插入电压,更有利于锂离子的脱嵌过程,这对于可充电电池的放电过程也是有利的。电子结构计算表明缺陷材料的禁带宽度在1.0-2.0 e V之间,低于无缺陷的材料的3.0 e V。主要态密度贡献者是Ti-Ov-3d,并且随着氧空穴的增加它的强度也变得更强。这就表明氧缺陷TiO2-B有更好的电子导电性。
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