【摘 要】
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本课题通过在酸性条件下将吡咯插层石墨烯并原位聚合制备了聚吡咯/石墨烯导电纳米复合材料。通过傅立叶变换红外光谱仪(FTIR),X-射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪,扫描电子显
【机 构】
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软化学与功能材料教育部重点实验室,南京理工大学,江苏省南京市,210094
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本课题通过在酸性条件下将吡咯插层石墨烯并原位聚合制备了聚吡咯/石墨烯导电纳米复合材料。通过傅立叶变换红外光谱仪(FTIR),X-射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪,扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)5种手段对该复合材料的结构和形貌进行表征,结果表明吡咯成功实现了在石墨烯上的原位插层聚合。所得复合材料经导电率测试、循环伏安法(CV)证实具有比聚吡咯和石墨烯更好的导电性能(最高可达1980S·m-1)和良好的氧化还原特性。并且这种纳米复合材料具有很高的比电容(最高可达723 F g-1),以及具有较长的寿命(1000次循环后,比电容是原来的70％)。这些优异的性能使得聚吡咯/石墨烯导电复合材料成为有望应用于超级电容器及其他光电器件中的一种很有前景的材料。
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