【摘 要】
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用透射电子显微镜(TEM)对水基流延方法制备的碳化硅(SiC)层状复合材料的界面进行研究.发现在三叉晶界处和某些SiC晶界上存在YAlO第二相,大部分SiC晶界有非晶膜,且非晶膜富Al
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室(上海)
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用透射电子显微镜(TEM)对水基流延方法制备的碳化硅(SiC)层状复合材料的界面进行研究.发现在三叉晶界处和某些SiC晶界上存在YAlO<,3>第二相,大部分SiC晶界有非晶膜,且非晶膜富Al而无Y.用能谱对晶界偏析进行定量研究,表明Al在晶界处的偏析量为5.7±2.正是由于Al在晶界处的偏析导致YAlO<,3>第二相的形成.最后对该材料的增韧机理进行了讨论.
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