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采用箱式热处理炉、显微硬度计、SEM电镜、能谱分析仪对SiCP/AZ61镁基复合材料的时效行为进行分析,结果表明:复合材料在整个时效过程中没有观察到不连续析出相在晶界析出,而是Mg17A112优先在纳米SiCP与基体形成的界面上形核长大;随着时效温度的提高,SiCP/AZ61复合材料或AZ61合金到达时效峰所需的时间减少;在同一温度下,SiCP/AZ61复合材料的时效速度要比基体合金快,但时效的效果比基体合金差:且在同一温度下,SiCP/AZ61复合材料的HV值要比基体高,主要是因为采用了高能超声法,使纳米SiC颗粒均匀的分布在基体中。