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对形成单电子器件的典型串联双遂道结结构模型，通过求解含时薛定谔方程，计算了其隧穿电汉与偏压的关系。给出了PbS量子点自组装体系在室温下的1-V特性模拟数据，结果与实验符合得较好。
PbS量子点自组装体系1-V特性计算机模拟
【摘 要】
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对形成单电子器件的典型串联双遂道结结构模型，通过求解含时薛定谔方程，计算了其隧穿电汉与偏压的关系。给出了PbS量子点自组装体系在室温下的1-V特性模拟数据，结果与实验符合得较好。
【机 构】
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中南大学计算科学与信息学研究所
【出 处】
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第一届全国纳米技术与应用学术会议
【发表日期】
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2000年12期
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