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在商业化晶体硅太阳电池制造技术中,广泛采用丝网印刷铝浆烧结工艺制作铝背场(BSF)。铝浆经过烧结与衬底硅材料发生共熔合金后,形成p~-p~+冶金结,即背面场。同时,铝浆厚膜烧结层又作为背面电极。材料供应商提供的不同牌号铝浆有不同的配方和工艺条件的要求。在具体的工艺制备过程中应该进行相应的工艺优化。材料或工艺过程引入的深能级杂质玷污铝浆对太阳电池的危害性最大。本文分析研究了铝浆及烧结工艺对晶体硅太阳电池背场的影响。