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忆阻作为一种新型的纳米级器件，其尺寸小、功耗低、非易失性、能高速读写等特点，在存储方面具有无可比拟的潜力。自美国惠普实验室制作出忆阻器的实物开始，学术界掀起了新一轮的研究热潮，成为微电子等相关领域最热门的方向之一。而由忆阻所制成的阻变存储器，以其海量的存储潜力，也被认为是最有可能替代DRAM的器件。为了使忆阻在存储方面的应用更加广泛，我们对其结构的研究也要越加关注，目前最普遍的方法是与传统的CMOS、FPGA结合构建混合电路。在综述忆阻器作为存储单元的特性的基础上，介绍了阻变存储器外围电路的组成以及电路结构，重点讨论如何改进电路的读写方式及发展趋势。