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本文利用微波烧结技术来制备高压ZnO压敏电阻。将ZnO和PbO、B2O3、Co2O3、MnO2粉体按照化学计量比混合,将所得的粉体经过干燥,650℃预烧、700℃~900℃烧结、成型.对比了同温度下常规烧结和微波烧结对ZnO压敏电阻电性能的影响,同时研究了烧结温度对ZnO压敏电阻电性能的影响.采用SEM和XRD烧结试样结构进行表征,微波烧结所制备样品内部晶粒生长均匀,平均粒径为200~500nm,试样压敏电压为800~1000V/mm,试样漏电流80~120μA。