【摘 要】
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近年来,拓扑绝缘体、石墨烯和二维材料等快速兴起,其共同的特征是有一个狄拉克型的二维表面电子态主导体系的电子输运,这样全开放的体系为表面吸附修饰提供了机会.本工作
【机 构】
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南京大学物理学院,南京,210093
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近年来,拓扑绝缘体、石墨烯和二维材料等快速兴起,其共同的特征是有一个狄拉克型的二维表面电子态主导体系的电子输运,这样全开放的体系为表面吸附修饰提供了机会.本工作建立了一套原子团簇产生和输运修饰于一体的研究方法,采用Pd、Ir、Pb、Co和In多种金属原子团簇和EDTA分子吸附修饰石墨烯、拓扑绝缘体和单层MoSe2,研究这些修饰对狄拉克电子体系的输运调控效果,结果如下：1)EDTA分子吸附MoSe2单层将其电子迁移率从小于0.1提到到20cm2/Vs以上,我们测量其载流子浓度和迁移率的变化,确认其机制为缺陷处化学键合引入电荷转移；2)Pd团簇吸附石墨烯可以成倍提高石墨烯的电子相干长度,我们研究相干长度随载流子浓度和电子自由程的变化,确认其机制为载流子浓度提高了零温相干长度的极限[1]；3)金属团簇吸附石墨烯可以引起自旋轨道耦合,我们通过弱局域化的拟合得到参数,给出了各种团簇调控的效果列表,发现Ir调控可以实现最大42meV的自旋轨道耦合强度,EDTA-Dy分子可以在引入自旋轨道耦合的同时引入恰当的载流子浓度(图1)[2].
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