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本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-HEMT的buffer缓冲层是成功的.
GaAs基MM-HEMT和InP基LM-HEMTMBE生长
【摘 要】
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本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-HEMT的buffer缓冲层是成功的.
【机 构】
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中国科学院半导体所新材料部,北京912信箱,100083
【出 处】
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中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会
【发表日期】
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2002年5期
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