【摘 要】
：
保护籽晶不被完全熔化是实现有籽晶铸锭技术的关键.本文运用计算机模拟技术对改进型坩埚护板进行模拟研究,分析其在铸锭过程中对籽晶熔化界面及晶体生长界面的影响,并结合实际铸锭进行验证.结果表明,改进型护板能有效改善硅料熔化后期坩埚底部的温度梯度,从而达到保护籽晶的目的,硅锭整体剩余籽晶高度差从改进前的lOmm降低到改进后的2mm;同时,晶体生长界面也得到一定优化.
【机 构】
：
东海晶澳太阳能科技有限公司,连云港222300 南京工业大学,南京210009
论文部分内容阅读
保护籽晶不被完全熔化是实现有籽晶铸锭技术的关键.本文运用计算机模拟技术对改进型坩埚护板进行模拟研究,分析其在铸锭过程中对籽晶熔化界面及晶体生长界面的影响,并结合实际铸锭进行验证.结果表明,改进型护板能有效改善硅料熔化后期坩埚底部的温度梯度,从而达到保护籽晶的目的,硅锭整体剩余籽晶高度差从改进前的lOmm降低到改进后的2mm;同时,晶体生长界面也得到一定优化.
其他文献
近年来,我国光伏产业快速发展,光伏电站装机量持续增长,并预计在未来会有更为迅猛的发展.其中晶体硅光伏组件的占有率超过85％.由此,在约30年的寿命周期后,为了对资源的再利用及生态环境的保护,大规模的晶体硅光伏组件亟待进行回收和无害化处理.本文对晶硅光伏组件组成材料种类及含量进行了调研与分析,通过建立数学模型及两种情景模式,测算了我国晶体硅光伏组件在一个寿命周期内(2005年至2034年)的废弃装机
IBC(叉指状背接触背结)太阳电池是一种高效n型晶体硅电池,具有典型的二维结构.本文使用一维模拟软件PCID模拟得到不同方阻发射极的饱和电流密度,将其作为边界条件运用到二维模拟软件PC2D中,模拟得到背面场(n+区)、隔离区和发射极(p+区)宽度比以及背面场和发射极方阻对IBC太阳电池性能的影响,并对模拟结果进行了理论和工艺上的分析与讨论.
采用特制的不锈钢网布,细栅部分100％开孔,栅线线宽50ym,网版寿命可达6万次,并实现了高度均匀、高的高宽比的栅线;采用“process B”方案,通过主栅和副栅两次印刷,降低了银浆耗用量从而降低了成本;最终采用较高的发射区方块电阻、较多的栅线条数,太阳电池的串联电阻下降0.002Ω,平均效率同比提高0.2-0.3％,批量电池平均转化效率达到了17.5％.
本文实现了一种可控制晶粒大小的“高效”硅片技术.研究结果表明:三种不同平均晶粒大小的“小花”、“中花”和“大花”硅片的位错密度分别为3×104个/cm2、5×103个/cm2和6×103个/cm2,其中“中花”硅片位错密度最低;晶粒越大硅片的绕曲度越小,应力越小;“中花”的原始硅片和扩散后硅片少子寿命均高于其他两种;采用PC1D模拟了硅片(电池)少子寿命与效率的关系;制备的三种“高效”硅片效率平均
本文对太阳电池减反膜进行模拟,通过计算不同波长下的反射率,得到不同厚度的氧化铝薄膜下Al203-SiNx双层膜系的反射率,并加权上太阳光谱对此的影响,得到对于单晶硅太阳电池的最优的Al203薄膜厚度为85nm.对射频磁控反应溅射的工艺进行探讨,研究了不同工艺对Al2O3薄膜的沉积速率的影响.研究溅射Al203薄膜对表面复合的影响,经过对比实验后发现,增大功率会提高溅射粒子的动量,从而提高薄膜的沉积
本文介绍了一种晶体硅太阳电池组件层压件精确层叠的方法,重点讨论了该方法的优点与不足.精确层叠技术可以避免在层压工序中层压件边缘产生多余的EVA胶膜和背板,从而使层压件无需割边和擦拭,并减少了因擦拭等工序而使组件内电池产生隐裂的几率、降低了工艺难度、节省了人力成本、提高了生产效率.同时,节省了EVA胶膜和背板的用量,节约了相关耗材.还减少了EVA胶膜对层压机胶皮的污染,延长了层压机胶皮的使用寿命.从
采用导纳矩阵法-等效界面模型和太阳能电池计算机设计软件,模拟设计出多晶硅太阳电池表面三层氮化硅减反射膜.将设计得到的最优组合结果用于沉积三层氮化硅薄膜的实践中,用等离子增强化学气相淀积(PECVD)法在多晶硅片上沉积氮化硅膜.分别用激光椭圆偏振仪、紫外可见分光光度计和少子寿命测试仪测试氮化硅膜的膜厚、折射率、反射率和少子寿命.初步实验结果显示:80nm左右的三层复合氮化硅减反射膜具有良好的减反射作
本文以太阳电池单二极管等效电路模型为基础,构建了两个太阳电池片串联的等效电路图,根据基尔霍夫电流定律和电压定律导出电流、电压方程组.以典型125mm×125 mm单晶硅太阳电池片的相关参数为依据,采用数值方法,改变其中一片太阳电池光生电流(光照强度的变化以光生电流的大小来表征)Iph1讨论了两片太阳电池串联的并联电流Ish1和Ish2,二极管电流ID1和ID2,负载电流IL的变化特性,并且进行了相
本文对晶体硅应用不同的背面处理方式来得到不同的形貌结构,然后在此基础上沉积对应的不同钝化层来实现降低复合和提高背反,通过实验结果的对比来确定产业化的背处理和背钝化层沉积的方式.
本文用冷等离子体法制备出含有硼(B)或磷(P)原子的掺杂纳米硅颗粒,将其按照一定的比例均匀分散在特定的溶剂中,便得到了硅浆料.用丝网印刷的方式将该浆料均匀涂覆在硅片上,对硅片进行热处理,使纳米硅颗粒里的杂质原子扩散到硅片内部,实现对硅片的掺杂.通过四探针仪、二次离子质谱、扩展电阻等测试结果可知,本文中的掺杂浆料粘度可调,丝网印刷性能优异,能对硅片进行掺杂浓度高度可控的P型或N型掺杂.