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我们用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在c面蓝宝石衬底上生长的GaN 表面生长了发光波段在绿光范围的氮化镓铟(InGaN)量子点(QDs)。研究了生长条件对盖层结构质量的影响,并优化了盖层的生长条件,得到了表面恢复台阶形貌的高质量盖层。采用改进后的盖层生长条件,生长了5 层叠层InGaNQDs,在绿光波段具有很强的发光强度和较窄的发光峰半宽。