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利用具有良好瞬态响应的EG&G的4400信号检测系统测量了a-Si:H样品的退火态和不同时间曝光后的瞬态光电导的衰减情况.对实验结果的拟合分析表明:有两种陷阱对衰减有贡献;曝光使光生载流子的复合中心增加,寿命减小.比较了不同制备条件的非晶硅薄膜的光致变化情况,证实了高氢稀释的薄膜更加稳定.
非晶硅的瞬态光电导响应及其光致变化
【摘 要】
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利用具有良好瞬态响应的EG&G的4400信号检测系统测量了a-Si:H样品的退火态和不同时间曝光后的瞬态光电导的衰减情况.对实验结果的拟合分析表明:有两种陷阱对衰减有贡献;曝光
【机 构】
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中国科学院半导体所中国科学院凝聚态物理中心表面物理国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
【发表日期】
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2001年期
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