无机异质结基太阳电池中空穴电流的产生及动态表征

来源 :第二届新型太阳能电池学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lan737898
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基于无机半导体纳米异质结光活性层的太阳电池具有高载流子迁移率、良好的环境稳定性和宽光谱吸收范围等优良特性,是一种具有很大应用前景的光伏器件.我们采用溶液法制备了由体型结晶Sb2S3光吸收材料和TiO2纳米阵列传导材料组成的无机体异质结基太阳电池(图1),利用动态光电流谱研究了电池电荷产生和传输动力学的特点.
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铜锌锡硫(硒)(Cu2ZnSn(S,Se)4,CZTS)是一种矿物质,纯硫的化合物禁带宽度Eg=1.SeV,纯硒的化合物禁带宽度Eg=1.0eV.通过调节S和Se的配比,CZTS的Eg可以在1.0-1.5eV之内调节,使其Schockley-Queisser单结太阳能电池的理论光电转换效率>30%.同时CZTS为直接跃迁半导体,吸光系数>104 cm-1;载流子迁移率>100cm2/Vs,非常适合
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增加光子利用率[1]和减弱反向电荷复合[2]是提高染料敏化太阳电池(DSC)的有效方法.我们利用简易的TiCl4水解法制备TiO2晶种层,在其表面生长TiO2纳米线.并通过TiCl4水溶液浓度实现对TiO2纳米线密度的调控.实验表明,提高晶种层制备过程中所使用的TiCl4浓度,能够增加TiO2纳米线的单位密度.更重要的是,这种方法制备的TiO2薄膜能够应用于DSC中作为n-型半导体材料.TiO2纳
量子点敏化太阳电池由于其低成本、高理论转换效率而备受关注.对量子点进行掺杂是提高量子点敏化剂性能的有效途径.自从2007年,韩国的Kwak等人的研究表明了Mg掺入了CdSe量子点.这里,我们对CdS/Mg掺杂CdSe量子点共敏化太阳电池的制作进行了尝试.我们讨论了不同Mg掺杂浓度和不同CdS的沉积次数对整个电池性能的影响,并通过对其机理的研究说明了电池性能提升的原因.
Ⅳ-Ⅵ族胶体量子点太阳能电池由于具有制造成本低、吸收光谱范围宽以及有望突破S-Q效率极限(多激子产生效应)等优势,近年来受到了广泛关注.我们组在前期工作中利用合成的PbS和PbS0.9S0.1量子点构筑了异质结结构量子点太阳能电池.电池器件在AM1.5光辐射条件下的能量转化效率分别达到3.1%和4.2%,而且其中的三元合金量子点异质结电池在能量约为2.76 eV光辐射下显示出了超过100%的外部量
PbS量子点以摩尔消光系数高、合成加工手段多样、带隙与太阳光谱匹配等优点,成为一种理想的太阳能电池材料.自2005年至今,PbS量子点太阳能电池效率快速上升,达到8.55%(NewPort Certified).然而平面异质结结构对太阳光的利用率有限,IPCE测试表明电池在PbS量子点第一激子吸收峰附近的外量子效率只有不到50%,而太阳光近红外部分能量在整个光谱中占有相当大的比重,因此提高电池对太
近年来,胶体量子点在量子点敏化太阳能电池(QDSCs)中展现出了潜在的应用前景,并获得了6-8%的转换效率.其中,CdSeTe合金量子点因其较宽的吸光范围以及高的化学稳定性得到人们的关注,获得了7.54%的效率.尽管如此,QDSCs的效率仍然远低于传统的染料敏化太阳能电池(DSSCs),而严重的载流子复合是限制其转换效率的重要因素之一.
纳米四角体在构建杂化体异质结薄膜太阳能电池中的电子受体与传输体时具有独特的优势[1].我们在本工作中研制出一种新型的具有核壳结构的硒化镉/硫化铅(CdSe/PbS NTs)纳米四角体.这种复合材料由4nm左右的PbS量子点均匀修饰在CdSe纳米四角体表面,形成了具有Ⅱ型能级结构搭配的异质结界面.与纯CdSe纳米四角体相比,这种核壳结构CdSe/PbS NTs在与P3HT半导体高分子复合时能更有效地
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