【摘 要】
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硅基微纳结构在宽光谱范围的高效减反陷光能力,对于减少太阳电池表面的光学损失具有十分重要的意义,引起了广泛的关注.目前硅基微纳结构太阳电池效率普遍偏低,原因之一是硅基微纳结构太阳电池在电极接触方面较传统电池尚有明显差距.掺Al的ZnO(AZO)材料由于具有近金属的电导率、可见光范围高透射率等特性,对于改善硅基微纳结构太阳电池的电极接触特性具有十分重要的意义,同时由于原材料丰富、价格低、无毒、沉积温度
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京100029
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硅基微纳结构在宽光谱范围的高效减反陷光能力,对于减少太阳电池表面的光学损失具有十分重要的意义,引起了广泛的关注.目前硅基微纳结构太阳电池效率普遍偏低,原因之一是硅基微纳结构太阳电池在电极接触方面较传统电池尚有明显差距.掺Al的ZnO(AZO)材料由于具有近金属的电导率、可见光范围高透射率等特性,对于改善硅基微纳结构太阳电池的电极接触特性具有十分重要的意义,同时由于原材料丰富、价格低、无毒、沉积温度低、热稳定性高等优点成为近来研究的热点.采用PLD方法制备AZO薄膜,薄膜具有(002)择优取向,300~1100nm范围内薄膜的平均透过率在85%左右,霍尔测试结果显示薄膜具有良好的电学性能,载流子迁移率为31.8Cm2//V·S.在硅纳米线衬底上沉积了不同厚度AZO薄膜,结果表明AZO薄膜在保留硅纳米线高效减反陷光的基础上改善了电极接触特性,同时一定程度上提高了硅基微纳结构的载流子传输特性,对于提高太阳电池效率有十分重要的意义.
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