有机-无机杂化钙钛矿材料因带隙可调、光吸收系数高、载流子迁移率高、扩散距离长等优点而成为理想的太阳电池材料。经过几年时间的发展,其电池效率已经突破了22%,展现出良好的商业化应用前景[1]。但是目前,制备与实际应用更接近的大面积钙钛矿电池仍然是急需要提高的方向。在制备钙钛矿薄膜中常用的方法有一步旋涂法、两步法和蒸汽辅助成膜法[2]。在一步法中,钙钛矿的结晶与溶剂的挥发同时进行,难以控制钙钛矿薄膜的生长,而两步法需要胺盐快速渗透进入PbI₂并与其反应,一般应用在有多孔结构的钙钛矿电池中,在平面异质结钙钛矿电池中成功应用的报导较少。蒸汽辅助成膜中一般利用CH₃NH₃I粉末升华的蒸汽与PbI₂反应,但CH₃NH₃I粉末颗粒大小不一升华速率不一样,在制备大面积器件时容易造成不同区域反应程度不一致。在本课题组前期工作的基础上,本工作提出利用简易的近空间升华法生长CH₃NH₃PbI₃薄膜制备钙钛矿电池。在CH₃NH₃I薄膜与PbI₂薄膜之间用铝薄片隔开形成近空间,通过控制PbI₂和CH₃NH₃I薄膜的厚度、两者之间的距离和反应时间就可以获得高质量的CH₃NH₃PbI₃薄膜。利用此方法制备的有效面积为4、25和100mm²的平面异质结钙钛矿太阳电池（FTO/PEDOT:PSS/CH₃NH₃PbI₃/PCBM/Al）器件的效率分别为16.2%、12.9%,和10.8%,J-V曲线如图1所示[3]。