【摘 要】
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随着微电子产业微型化、集成化和智能化的需求,对介质材料存储密度提出了更高的要求.目前电子器件的加工工艺已经接近极限,很难再简单缩小器件尺寸,因此,需要寻找更高介电常数ε的电容器材料.与传统的高介电材料(ε-103)相比,CaCu3Ti4O12由于具有很高的介电常数(～104),合成工艺简单,受到广泛关注.但是目前由于该类材料的介电损耗较高,在实际中不能被广泛应用.而对于这类材料的研究主要集中在其巨
【机 构】
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湖北大学物理学与电子技术学院,武汉430062
【出 处】
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湖北省物理学会、武汉物理学会2015学术年会
论文部分内容阅读
随着微电子产业微型化、集成化和智能化的需求,对介质材料存储密度提出了更高的要求.目前电子器件的加工工艺已经接近极限,很难再简单缩小器件尺寸,因此,需要寻找更高介电常数ε的电容器材料.与传统的高介电材料(ε-103)相比,CaCu3Ti4O12由于具有很高的介电常数(～104),合成工艺简单,受到广泛关注.但是目前由于该类材料的介电损耗较高,在实际中不能被广泛应用.而对于这类材料的研究主要集中在其巨介电常数的产生机理上,这也是解决该类材料损耗过大并优化其性能的关键.目前,其巨介电机理倾向于由非本征因素,如晶界,表面电极接触等方面.分析手段主要为频谱和温谱研究,而对于由外场刺激引起的介电性能变化及微观机制研究尚未见报道.
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