晶格缺陷调制Co：ZnO薄膜的室温铁磁性

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【摘要】

：

<正>利用直流反应磁控溅射法在硅片上制备了 Co：ZnO 薄膜,并在不同温度（200、 400和600℃）下对薄膜进行了真空退火处理,系统研究了退火对 Co：ZnO 薄膜微结构和磁性能的影响。研究

【作者】

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刘雪敬宋成曾飞潘峰

【机构】

：

清华大学,材料科学与工程系,先进材料教育部重点实验室;

【发表日期】

：

2004年期

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<正>利用直流反应磁控溅射法在硅片上制备了 Co：ZnO 薄膜,并在不同温度（200、 400和600℃）下对薄膜进行了真空退火处理,系统研究了退火对 Co：ZnO 薄膜微结构和磁性能的影响。研究结果表明,CO²⁺取代 Zn²⁺的位置进入 ZnO 的晶格, 所有的薄膜均具有高度 c 轴择优取向的纤锌矿结构,并且显示室温铁磁性。原位

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