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在考虑极化效应、源漏寄生电阻、沟道扩散电流和饱和区沟道长度调制效应基础上，建立了AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管I-V特性的解析模型，分析了其线性区和饱和区跨导，理论分析结果与实验结果符合得较好。该模型考虑全面、算法简单、结果精确，适于对器件性能进行分析和结构优化。
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型
【摘 要】
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在考虑极化效应、源漏寄生电阻、沟道扩散电流和饱和区沟道长度调制效应基础上，建立了AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管I-V特性的解析模型，分析了其线性区和饱和区跨导，理论分析
【机 构】
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西安电子科技大学 微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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