为了在基体表面上得到易钎焊表面,在电子工业中通常使用化学镀镍或浸润镀金的方法。近些年,由于镀层技术的提高以及化学镀层方法价格低廉,使得这种方法在半导体的应用上得到广泛的使用,如半导体薄片的金属化。这篇文章主要研究了Al基和Cu基半导体的化学镀镍和浸润镀金。镍基电镀溶液是次磷酸盐溶液,金基镀层溶液是无氰硫酸盐溶液。在Al镀层过程中需要使用Zn电离发法促使Ni的生长,在Cu镀层过程中需使用Pa作为表面的催化剂。为了保证可重复性,需严格控制化学、设备和时间等过程变量。通过俄歇分析研究纯金镀层和Ni/P。通过对表面镀镍的I/O基片进行剪切试验来评价化学镀镍/Au层之间的连接质量。表面镍层通过多次的温度循环试验和剪切强度试验进行检测,结果表明没有剪切载荷的降低和断裂模式的降级。将表面镀镍和镀金的I/O基片用于电丝键合和倒装连接。将金线与表面镀镍和金的I/O基片连接后用于球剪切、线拉伸,并对其进行断裂分析。由于在电线中存在电线拉伸试验模式和在球剪切研究中存在金属间化合物断裂,因此试验结果超过了产品技术的要求。在倒装晶片的研究中,通过采用模板印刷技术镀几种不同钎料合金后,通常研究化学镀Ni/Au层。本文采用两种试验工具对63Sn/37Pb和90Pb/10Sn两种钎基钎料和95.5Sn/3.8Ag/0.7Cu无铅钎料进行钎焊接头试验。为了评价这些合金与化学镀镍层的兼容性,需进行钎料剪切试验。在这三种钎料中,都没有剪切载荷的降低或断裂模式的降级,这说明再流过程中,没有决定性的Ni消耗。同时,对钎焊接头冶金厚度为1、2和5μm的Ni进行了额外的对比试验。在试验结果中,同样也没有发现决定性的Ni被消耗。