PECVD法生长氮化硅薄膜对多晶硅少子寿命的影响

来源 :2003年中国太阳能学会学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Coolbear
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使用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)在多晶硅片上沉积了氮化硅(SiN<,x>)薄膜,并测试了其成膜前后体内少子寿命的变化,发现生长氮化硅薄膜后少子寿命有了很大的提高,分析了其钝化机理.
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