【摘 要】
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为满足新型太赫兹源器件的需求,本文利用脉冲激光沉积技术,制备了一种覆W+BaO-Sc2O3-SrO膜的浸渍扩散阴极.实验选择不同工作比测得了该阴极在不同温度下的双对数伏安特性曲线
【机 构】
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中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京100190
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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为满足新型太赫兹源器件的需求,本文利用脉冲激光沉积技术,制备了一种覆W+BaO-Sc2O3-SrO膜的浸渍扩散阴极.实验选择不同工作比测得了该阴极在不同温度下的双对数伏安特性曲线.结果表明,在1100℃工作温度下,这种阴极的发射电流密度达到305A/cm2,达到传统覆Os膜M型阴极的9.5倍.理论计算结果表明,这种阴极的功函数比覆Os膜M型阴极低0.28eV.这种阴极具有良好的低温发射性能,工作温度比M型阴极低150℃.
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