以Mn2+:ZnSe为代表的掺杂半导体量子点(d-dots)凭借其独特的性质,在荧光标记、光电等领域有着良好的应用前景.本文利用水热体系，将反应原料直接混合，通过一步反应，使反应时间大幅缩短到了半个小时以内，制得的Mnz+;ZnSe量子点的荧光效率可以达到12.5％，远高于文献中报道的水平。根据反应进行中荧光光谱的变化，给出了在一步法制备中掺杂量子点形成的机理和过程。为了进一步提高产物的荧光效率，对制得的Mn2+:ZnSe量子点进行了Zn0的壳层的包覆。Zn0是一种新型的壳层材料，与常见的ZnS相比惰性更强，稳定性更高。Zn0壳层可以通过在碱性环境下加入Zn2+盐，Zn2+盐在水热体系下水解和分解形成，Zn0包壳后产物荧光效率提高到19.8％。在对产物进行光稳定性评估时发现，在持续的紫外辐照下，包壳与未包壳的量子点的效率都会得到进一步的提高，且二者在不同时间内会达到并稳定在一个相似的水平。对产物进行XRD分析后发现紫外辐照后会在产物表面进一步包覆生长Zn0薄层，使其表面缺陷进一步修复，荧光效率继续不可逆提高，最终产物的荧光效率可保持在27.5％左右。所得到的Mn2+:ZnSe/Zn0量子点具有较好的光热稳定性，在荧光标记、光电器件领域均有较好的应用前景。