【摘 要】
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本文研究了Sb2O3、TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响。实验发现,TiO2和Co3O4是促进SnO2陶瓷致密化烧结的有效添加剂,根据XR
【机 构】
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华南理工大学电子材料科学与工程系,广州,510640
【出 处】
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中国电子学会敏感技术分会第十五届电压敏学术年会
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本文研究了Sb2O3、TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响。实验发现,TiO2和Co3O4是促进SnO2陶瓷致密化烧结的有效添加剂,根据XRD图谱分析发现,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,而TiO2则固溶于SnO2晶相；Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化；复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力。本工作获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压VlmA约为350V/mm,非线性系数α达到50,漏电流小于5μA,并且在8/20μs脉冲电流冲击试验中,直径Φ14mm的样品能够经受2kA的峰值电流。
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