【摘 要】
:
目的:研究西班牙激光联合等离子技术治疗良性前列腺增生的有效性和安全性.材料和方法:自2014.10-2015.6间,采用西班牙激光联合等离子技术治疗良性前列腺增生患者15例,年龄61-83岁,平均73岁.15例患者中因反复尿潴留就诊11例,因残余尿增多(大于100ml)就诊4例,伴有膀胱结石1例,合并上尿路积水1例.所有患者都已接受过药物治疗.
【机 构】
:
复旦大学附属中山医院泌尿外科 200032
论文部分内容阅读
目的:研究西班牙激光联合等离子技术治疗良性前列腺增生的有效性和安全性.材料和方法:自2014.10-2015.6间,采用西班牙激光联合等离子技术治疗良性前列腺增生患者15例,年龄61-83岁,平均73岁.15例患者中因反复尿潴留就诊11例,因残余尿增多(大于100ml)就诊4例,伴有膀胱结石1例,合并上尿路积水1例.所有患者都已接受过药物治疗.
其他文献
氟化物减反射膜放置一段时间,性能会发生变化,本文主要研究其光学性能的时效变化.两批不同膜系的减反射膜SP的中心波长向长波方向不同速率地漂移,反射率低于0.5%的带宽变化不一致.因此可以从膜系设计上来改善减反射膜的时效变化.
根据相同镀膜条件下小尺寸基片的受力情况,利用有限元法对大尺寸基片镀膜引起的变形量进行了模拟,通过数据转换将模拟结果输入ZYGO面形处理软件,得到了低频面形参数变化量.对比模拟结果与实测结果,发现两者非常接近.利用该方法实现了形状复杂、尺寸较大镀膜基片面形参数变化量指标的预估,使得镀膜元件面形主动量化控制成为可能.
近年来随着纳米加工工艺的发展,金纳米结构被越来越多地应用于各种元器件上,比如基于局域表面等离激元的超材料吸收体.当金薄膜的厚度小于块体金的自由电子平均自由程时,电子表面散射效应明显,其自由电子的弛豫时间不同于块体金的自由电子弛豫时间.在近红外波段,随金薄膜的厚度变化,自由电子弛豫时间发生相应改变,这种改变会影响基于金纳米结构的超材料吸收体的吸收率.所以,准确测量金薄膜的自由电子弛豫时间对预测和研究
近十多年来,铁磁半导体(Ga,Mn)As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注.但迄今为止,最高的居里温度为200K,远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障碍.解决这一问题的思路之一在于利用铁磁临近极化效应.08年EMaccherozzi等人便报道了在Fe/(Ga,Mn)As这种铁磁金属和铁磁半导体异质结中发现了靠近铁磁金属一侧的铁磁半导体薄层在室温下仍具有铁磁性.Co2Fe
随着电子器件持续向小型化发展,具有高介电常数的金属氧化物超薄膜因其可用于下一代MOS电容/场效应晶体管的绝缘栅极层以及闪存中的电荷俘获层而受到越来越多的关注.高k氧化物薄膜在实际应用时需具备合适的带隙和较少的电子缺陷.ZrO2薄膜作为一种高k金属氧化物,介电系数约为25,带隙为5.0-6.2 eV.然而,对于纳米超薄尺度下,ZrO2的带宽尺寸效应至今尚存争议;同时,尽管体材料的点缺陷在理论和实验上
本文主要研究CO2激光器辐照对室温条件下通过磁控反应溅射沉积的氧化锌薄膜结构及性质上的影响.分别采用X射线衍射仪、分光光度计、荧光光谱仪以及拉曼散射光谱等表征手段对比研究氧化锌薄膜辐照前后结构和光学性质的变化.
铋是一种半金属材料,其独特的物理性质越来越受到研究者的广泛关注.铋的自旋轨道耦合作用很强,其电子有效质量小,抗磁性最强.纳米尺寸的铋是优秀的热电材料,铋及铋的化合物在低温下有着最高的品质因数,是低温热电致冷的不二选择,可以应用在废热发电和环保致冷领域.较低的费米能级及较小的电子有效质量使铋成为研究量子尺寸效应的极佳材料,可以为制备量子器件提供理论指导.
高强度短脉冲极紫外、X射线波段激光与材料辐照损伤研究对于X射线光学元件设计、极紫外光刻发展、新型探测器研制和等离子体诊断等有着重要的参考价值.随着新型短波长光源的发展,如极紫外、X射线波段自由电子激光和激光等离子体光源等,薄膜材料在极紫外、X射线波段的辐照损伤问题日益成为国际研究热点之一.
氧化锌(ZnO)是一种新型的直接宽禁带(3.37ev)半导体材料.由于其优良的物理性能,在压电转换、太阳能电池、传感器以及集成电子器件等领域有着潜在的开发前景.很多研究结果表明,ZnO薄膜的光学和电学性质与薄膜质量有着直接的关联.而薄膜质量又与其衬底材料密不可分.目前,很多研究者通过在Si衬底和ZnO薄膜间添加缓冲层或换用其他衬底材料,以期提高ZnO薄膜的质量.
具有极大光学非线性和超快响应的薄膜材料是未来集成光学器件应用中极具希望的备选者.近年来,过渡金属硫系化合物(WS2,WSe2,MoS2,MoSe2等)由于一系列优异的电子学、光学性质、良好的机械性能和化学、热力学性质而得到了广泛关注.得益于二维量子限制效应和层与层之间微扰的消除,单层过渡金属硫系化合物更是由体材料的间接带隙转变为了直接带隙半导体.