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Ga 添加元素对TbCu7型Sm-Fe-N 化合物磁性能的影响
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京 100088 稀土材料国家工程中心,有研稀土新材料股份有限公司,北京
【出 处】
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第十五届全国磁学和磁性材料会议
【发表日期】
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2013年11期
其他文献
我们采用一种简单有效的方法制备了孔桥结构的SiO2纳米阵列，阵列表现出弱铁磁性.SiO2微球采用改进的St(o)ber方法合成.在SiO2纳米微粒悬浊液中通过垂直沉积方法得到了三维自组装阵列，烧结使得阵列更有序.用HF腐蚀阵列得到孔桥结构.相比其他结构，孔桥结构在室温下表现出的磁信号最强(～0.016emu/cm3).孔桥结构中的悬挂键被认为是产生铁磁性的主要原因，未配对电子的铁磁耦合与悬挂键的分