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本文详细地介绍了地面评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性试验方法,试验系统的软硬件组成及试验系统的研制.利用脉冲激光,重离子,锎源三种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究;时三种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时开展了总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究;最后利用有关计算软件预估了IDT6116芯片空间飞行的单粒子翻转率,计算表明,IDT6116在轨发生单粒子翻转的概率相对较小,IDT6116抗单粒子翻转和锁定的能力较强.