【摘 要】
：
在SiC离子注入高温激活退火中,采用碳膜作为保护层覆盖在晶片表面.碳膜通过AZ5214光刻胶在700、750、800℃Ar气氛围下退火形成,经过Raman测试结果表明,退火后光刻胶开始向纳米晶体石墨方向的转变,800℃退火的样品形成的碳膜厚度约为366nm,整体覆盖良好.经过Ar气氛围下1650℃20min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的样品注入区RMS分别为0.6nm和3.6nm.退火过程中
【机 构】
：
株洲南车时代电气股份有限公司,株洲,412001 株洲南车时代电气股份有限公司,株洲,412001
【出 处】
：
2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
论文部分内容阅读
在SiC离子注入高温激活退火中,采用碳膜作为保护层覆盖在晶片表面.碳膜通过AZ5214光刻胶在700、750、800℃Ar气氛围下退火形成,经过Raman测试结果表明,退火后光刻胶开始向纳米晶体石墨方向的转变,800℃退火的样品形成的碳膜厚度约为366nm,整体覆盖良好.经过Ar气氛围下1650℃20min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的样品注入区RMS分别为0.6nm和3.6nm.退火过程中碳膜的保护,有效的抑制了表面处Si的升华和再沉积过程,避免SiC表面形貌的退化.
其他文献
本文介绍了本厂二泵房ABB ACS1000中压变频器的工作原理和技术特点,讨论中压变频器、可编程控制器、触摸屏和工业控制系统在供水中的应用情况,及变频系统在投入运行后为企业所带来的经济效益.
依据管网宏观模型的优化工况点建立管网压力控制模型,基于管网压力控制模型的变频控制系统在桂城水厂试运行表明:变频器调节调速泵流量以控制泵群工况点沿管网压力控制曲线模型运行,实时调节流量压力满足管网用户要求,水厂千吨水电耗(kW h/103m3)和管网漏损率分别降低了7.62％和3％,远端各节点服务压力精度为±0.001MPa;可使小区阀门减漏效应扩展至整个管网以降低管网漏损.
本文采用KOH融溶液腐蚀了n型和P型的SiC外延层，对BPD在外延材料中的延伸和转化机理进行了研究分析。通过对n型和P型的SiC外延材料进行腐蚀，发现衬底中的BPD在n型SiC外延材料中得到延续，在P型SiC外延材料中得到抑制。
理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.本文梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理论计算结果,介绍了Si/SiO2界面原子结构模型及其特点.并从Si衬底晶向、过渡区的组成与厚度以及电子特性方面,分析了这些模型的优缺点及其适用性.认为以亚氧化态Si作为过渡层的模型
本文首先介绍了哈尔滨市供水现状，其次介绍了净水厂供水基本情况、变频设备运行情况等供水特点，然后介绍了自从高压、低压泵站各启动2台调速机组以后，市区管线修漏量下降50％，极大降低了管线的维护费用。同时水厂的用电量单耗由70kWh/dam3降低到68kWh/dam3，每年可节约电费50多万元，实现了企业经济效益和社会效益双丰收。
在氮化镓外延材料上制作了金属-绝缘层-金属型钛酸锶钡薄膜压控电容.测试表明,该压控电容在0.1～15GHz的频率范围内具备压控调谐特性;根据测试结果建立了微波频段钛酸锶钡压控电容等效电路模型,模型与测试结果吻合.同批次制作的氮化镓HEMT性能测试表明,该电容的制作工艺与标准氮化镓单片微波集成电路工艺完全兼容.
本文对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真.仿真结果显示:具有p-GaN栅的GaN HEMT器件阈值电压为1.5V;采用栅极场板能缓解栅极边缘过于集中的电场,当场板长度为5μm时,器件击穿达到1100V;间断的栅极场板能在场板间隙中产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,器件的击穿电压可达到12
为了解国产0.18微米混合信号集成电路抗辐射性能，本文针对集成电路用MOS晶体管，研究了其直流及1/f噪声在60Coγ电离辐射环境下的变化规律.实验过程中，对实验样品辐照前后直流特征曲线、1/f噪声功率谱进行了测试。研究结果表明：辐照前后阈值电压、栅极电流变化均很小：在总剂量辐照下，NMOS晶体管漏电流增大,1/f噪声功率增大，而PMOS晶体管漏电流及1/f噪声功率则基本没有变化。分析表明NMOS
本文主要介绍了沟槽型金属-氧化物-半导体势垒肖特基整流器(Trench MOS Barrier Schottky rectifier,TMBS)和超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR)的结构、机理和参数特性.这两种器件正向压降低,温度特性好,与传统肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,可在不牺牲温度特性的前提下,实现更低的正向压降
设计并制造了一种八固支梁结构的压阻式三轴加速度传感器.文中针对该结构的机械性能分析,建立了一个简化的数学模型,并采用有限元分析方法进行了仿真验证。给出了该加速度传感器的微加工工艺流程.测试结果显示x、Y、z三个方向的静态灵敏度分别为1.984mV/g、2.010mV/g、1.964mV/g；线性度分别为99.99％、99.99％、99.72％；轴间耦合因子≤2.53％。